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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED本质片种植的企业公司,因种植的方式中用砷化镓、电镀锌铟等III-V族氧化物,废河中含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等巨资属,结构设计加工处理面积1200吨/日。 污水组成及来源于 MOCVD装备清洁焦化废水 :含前三基镉、前三基铟等有机会重金属化学物质 割切碾磨废液 :含纳米级级塑料科粒 塑胶电镀焦化废水 :含铜、镍等废金属铁离子 正确处理技术流程图 特色化采用了"腐蚀破络+巨资属收集+膜拆分"组装工艺设计: 预治疗單元 :加药系统亚硫酸氢钠吸附有机酸金屬络合物 主导整理单位 : 用DTCR天价属收集剂出现不可溶性螯合物 反渗透装置机系统(UF)挪用大生物大分子污染问题物 反渗入(RO)脱盐率>98% 淤泥净化处理模块 :离心力烘干后代为危险废弃物外理中间应急处置 结果英文实际效果 经其三方检查: 总砷水分含量:0.05mg/L(国家标准0.5mg/L) 镉含碳量:0.01mg/L(执行标准0.1mg/L) 水中水回用率:75% 运动代价:3.8元/吨水

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